特許

J-GLOBAL ID：200903007074265189

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 矢追 善史
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241570
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082788
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】半導体膜とゲート絶縁膜を連続して形成し、しかも、半導体膜を複雑な構成を通すことなく島状パターンに加工する。【構成】半導体膜のトランジスタ素子領域以外の領域に、半導体膜を構成する元素と接合することによって絶縁体となる元素イオンを注入し、この後熱処理することによって前記イオン注入領域を絶縁膜とする。

請求項（抜粋）：

半導体膜のトランジスタ素子領域以外の領域に、半導体膜を構成する元素と接合することによって絶縁体となる元素イオンを注入し、この後熱処理することによって前記イオン注入領域を絶縁膜とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 R ,  H01L 21/265 J