特許
J-GLOBAL ID：200903007078215208
MIS型半導体装置の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261094
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102481
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 MIS型半導体装置の絶縁膜の電気的不安定性を、再現性良く且つ精度良く評価することができる方法を提供する。【構成】 半導体基板上に絶縁膜と導電膜が順次形成されたMIS型半導体装置の評価方法において、前記絶縁膜中の可動イオン濃度が3×1010/cm2以下、界面準位密度が1×1010/cm2・eV以下である試料を用いて、前記MIS型半導体装置を100〜300°Cの範囲の温度下で前記半導体基板と前記導電膜の間に1〜5MV/cmの範囲の電界強度の正又は負の電圧を印加し、1〜60分の範囲の時間保持する処理(以下「BT処理」と言う。)を施し、該BT処理前後に前記MIS型半導体装置の容量-電圧特性(以下「C-V特性」と言う。)を室温で測定し、前記BT処理前後における前記C-V特性のフラットバンド電圧のシフト量から前記絶縁膜中のキャリアトラップ密度を決定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜と導電膜が順次形成されたMIS型半導体装置の評価方法において、前記絶縁膜中の可動イオン濃度が3×1010/cm2以下、界面準位密度が1×1010/cm2・eV以下である試料を用いて、前記MIS型半導体装置を100〜300°Cの範囲の温度下で前記半導体基板と前記導電膜の間に1〜5MV/cmの範囲の電界強度の正又は負の電圧を印加し、1〜60分の範囲の時間保持する処理(以下「BT処理」と言う。)を施し、該BT処理前後に前記MIS型半導体装置の容量-電圧特性(以下「C-V特性」と言う。)を室温で測定し、前記BT処理前後における前記C-V特性のフラットバンド電圧のシフト量から前記絶縁膜中のキャリアトラップ密度を決定することを特徴とするMIS型半導体装置の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 29/78
, H01L 21/336
