特許

J-GLOBAL ID：200903007085297767

硫化セレン化マンガン亜鉛系光半導体

発明者： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226261
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 硫化セレン化マンガン亜鉛系エピタキシャル混晶膜を基板と格子整合して形成することにより、青色から紫外域の光半導体素子材料を提供する。【構成】 超高真空中でGaAs基板13a上に亜鉛分子線14cとマンガン分子線15cと硫黄分子線16cとセレン分子線17cとを同時に照射して、Zn<SB>1-X </SB>Mn<SB>X </SB>S<SB>Y </SB>Se<SB>1-Y </SB>(0<X<1,0<Y<1)混晶を得る。特に基板に格子整合するように分子線圧を調整して形成する。基板はGaAs,ZnSeなどを使用できる。

請求項（抜粋）：

亜鉛とマンガンと硫黄とセレンとを少なくとも含む硫化セレン化マンガン亜鉛系エピタキシャル混晶膜が基板上に形成されており、かつ前記エピタキシャル混晶膜が前記基板と格子整合している硫化セレン化マンガン亜鉛系光半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/203