特許
J-GLOBAL ID：200903007090936646
歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007054
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 主に、波長1.3マイクロメートル帯で発振可能な歪量子井戸半導体レーザ素子を提供すると共に、組成の制御性に優れ、且つヘテロ界面の劣化を防止することのできる歪量子井戸構造の作製方法を提供する。【構成】 InAsPから成る歪量子井戸活性層10と、GaInAsPから成る障壁層11とで歪量子井戸構造4が形成され、歪量子井戸構造4の上下にクラッド層3,5が配置された歪量子井戸半導体レーザ素子1において、InPと格子定数が等しいGa<SB>X </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(x,yは組成比、0<x<1,0<y<1 )を障壁層11とし、障壁層11と5族元素Asの組成比yが等しいInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>を歪量子井戸活性層10としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
InAsPから成る歪量子井戸活性層と、GaInAsPから成る障壁層とで歪量子井戸構造が形成され、該歪量子井戸構造の上下にクラッド層が配置された歪量子井戸半導体レーザ素子において、InPと格子定数が等しいGa<SB>X </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(x,yは組成比、0<x<1,0<y<1 )を前記障壁層とし、該障壁層と5族元素の組成比yが等しいInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>を前記歪量子井戸活性層としたことを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/20
, H01L 21/203
