特許
J-GLOBAL ID：200903007091288508
人工格子膜の製造方法およびその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121041
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295565
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗が磁場に対して直線的に変化し、かつヒステリシスのない人工格子膜の製造方法およびその製造装置を提供する。【構成】 蒸着ステージ5上の基板へ蒸着源2の第1の金属を蒸着させた後、基板を基板加熱ステージ8へ移送し、熱処理を行う。その後、基板を基板冷却ステージ9へ移送し、急冷して蒸着時の基板温度以下にする。基板を再度蒸着ステージ5へ搬送し、第2の金属を蒸着源3より成長させ、熱処理、急冷を行う。以上の一連の工程を繰り返し、所望の人工格子を形成する。
請求項（抜粋）：
2種類の金属を交互に積層させ、積層方向に人工的な周期構造を有しめた人工格子の製造方法において、第1の金属を低温で成長させた後熱処理を行う工程と、第2の金属を低温で成長させた後熱処理を行う工程とを交互に繰り返し、2種類の金属を積層させることを特徴とする人工格子膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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