特許
J-GLOBAL ID：200903007095791026
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151717
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343473
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 電子機器、特にハイブリッドICに使用される半導体装置において、熱衝撃によって接続部が破断することがなく、突起状電極と半導体チップの電極は摺動するが半導体チップと絶縁性基板ははがれず、電気的接続を保持する圧接構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 テープ状のフィルムベース15上に接着剤14を塗布し、この上に半導体チップ11を仮固定してテープ上に整列させる工程と、このテープをキャリアとして搬送に用い、フィルムベース15を半導体チップ11から引きはがした後突起状電極17と半導体チップ11のAl電極12の位置合わせを行い、半導体チップ11の電極膜13と突起状電極17の間に有する絶縁性接着剤14を排出するまで加圧し、同時に絶縁性接着剤14を硬化し、半導体チップ11を配線基板19に固着すると共に電気的に接続する工程とからなるものである。
請求項（抜粋）：
導体配線を有した絶縁性基板に実装する半導体素子の電極位置に合わせてAuペーストを印刷し焼成してAuの突起状電極を形成する工程と、前記半導体素子の電極部に非酸化性の金属導体膜を形成する工程と、フィルム状にした絶縁性接着剤を絶縁性基板の半導体素子実装部あるいは半導体素子の配線面に付着させ、前記半導体素子の電極と前記突起状電極の位置合わせを行い加圧しながら接着剤を硬化し、半導体素子を絶縁性基板に固着すると共に前記突起状電極と半導体素子の電極を電気的に接続する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/52
