半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124350
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】再配線との接続不良や基板と封止樹脂との間に発生する界面剥離等を防止して信頼性が向上され、且つ製造工程を簡略化して製造コストの低減を図り得る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子10の電極端子12と外部接続端子14とを電気的に接続するリード16が、半導体素子10の電極端子形成面に対して所定の距離をおいて平行に延在されている再配線部17と、再配線部17の一端部に設けられている外部接続端子用ポスト22と、再配線部17の他端部に設けられ、半導体素子10の電極端子12と接続される電極端子用ポスト24とから構成されており、電極端子用ポスト22と再配線部17とが封止樹脂18によって封止されていると共に、外部接続端子用ポスト24の先端部が封止樹脂18から露出していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極端子と外部接続端子とを電気的に接続するリードが、前記半導体素子の電極端子形成面に対して所定の距離をおいて平行に延在されている再配線部と、前記再配線部の一端部に設けられている外部接続端子用ポストと、前記再配線部の他端部に設けられ、前記半導体素子の電極端子と接続される電極端子用ポストとから構成されており、前記電極端子用ポストと再配線部とが封止樹脂によって封止されていると共に、前記外部接続端子用ポストの先端部が前記封止樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/28 A , H01L 23/12 Q

Fターム (9件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA05 , 4M109DA10 , 4M109EA02 , 4M109EA11 , 4M109EB19 , 4M109EC04 , 4M109EC09

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