誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319605
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172984
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：

【要約】【目的】ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を低温で高精度に、しかも安定性、均一性、再現性良く量産する。【構成】スパッタチャンバー1内に、焼結した酸化物強誘電体材料をスパッタターゲット2、3、4として配置する。ターゲット2はイオンビームスパッタ用、ターゲット3、4はマグネトロンスパッタ用のターゲットである。基板加熱手段としては、光源7によるランプ加熱方式を用いる。イオンビームスパッタは、バケット型イオン源8で発生させたArイオンをターゲット2に照射することによって行う。そして、ArとO2 の混合ガス雰囲気中で、まず、適当な基板温度、形成雰囲気中でターゲット2をイオンビームスパッタして基板5の上に初期層を形成し、その後、基板温度、形成雰囲気をマグネトロンスパッタに適したものにしてターゲット3、4を同時にスパッタして主堆積層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物被膜を堆積させる誘電体薄膜の製造方法であって、被膜の初期層形成時に限り、その組成、堆積速度及び基板温度を、それぞれZrを含まないもの、0.5オングストローム/s未満、450°C以下とすることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。ここで、Aサイトは、Pb、Ba、Sr及びLaから選ばれる少なくとも1種類、Bサイトは、Ti及びZrから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む。

IPC (15件)：

C30B 23/08 , C23C 14/08 , C23C 14/46 , H01G 4/33 , H01G 4/12 400 , H01L 21/31 , H01L 21/314 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 37/02 , H01L 41/24 , C30B 29/32

FI (5件)：

H01G 4/06 102 , H01L 21/31 D , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J , H01L 41/22 A

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