特許
J-GLOBAL ID:200903007105232861
半導体レーザ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-215184
公開番号(公開出願番号):特開2003-031902
出願日: 2001年07月16日
公開日(公表日): 2003年01月31日
要約:
【要約】【課題】キャリア密度分布の均一性を向上させて、しきい値電流が低く高効率なレーザを得ることができる半導体レーザを提供する。【解決手段】GaAs基板と、n型クラッド層3と、p型クラッド層7と、井戸数が2以上の多重量子井戸活性層5を有している。n型クラッド層3とp型クラッド層7と多重量子井戸活性層5がAlGaAs系材料で構成され、多重量子井戸活性層5を構成する障壁層14の厚さt1,t2,t3,t4がn型クラッド層3から離れるにしたがって順に厚くなっている(t1<t2<t3<t4)。
請求項(抜粋):
n型クラッド層(3)と、p型クラッド層(7)と、井戸数が2以上の多重量子井戸活性層(5)を含み、伝導帯側のバンドオフセット(ΔEc)が価電子帯側のバンドオフセット(ΔEv)よりも大きい材料系で構成されている半導体レーザにおいて、前記多重量子井戸活性層(5)を構成する障壁層(14)の厚さ(t1,t2,t3,t4)がn型クラッド層(3)から離れるにしたがって順に厚くなっていることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (8件):
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073BA09
, 5F073CA01
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA23
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭59-104191
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-052541
出願人:日本電信電話株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-050830
出願人:日本電気株式会社
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