特許

J-GLOBAL ID：200903007108314109

酸化物超電導体、および酸化物薄膜の製造方法

発明者： 石塚 芳樹 ,  三浦 忠男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107855
公開番号（公開出願番号）：特開平5-301715
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 CuO2 面間距離およびキャリア濃度を制御でき、膜厚に制約を受けることなくかつ再現性よく均一な膜を形成する。【構成】 ?@銅系酸化物超電導体薄膜中のCuO2 面間に位置する第1の元素をイオン半径の異なる第2の元素で置換した超電導体において、前記第1および第2の元素間のイオン半径差に対応する格子不整合を形成する基板上に、この基板面と該酸化物超電導体薄膜との界面での格子不整合に起因する相互作用により、引き伸ばされあるいは縮められたCuO2 面間で本来酸化物超電導体薄膜のCuO2 面間に位置する第1の元素が第2の元素に置換された銅系酸化物超電導体薄膜を有する。?A薄膜を形成する基板として前記第1および第2の元素間のイオン半径差に対応する格子不整合を形成する基板材料を選択し、この基板表面に、気相から薄膜形成原料の供給を行う。

請求項（抜粋）：

銅系酸化物超電導体薄膜中のCuO2 面間に位置する第1の元素と、前記第1の元素に対してイオン半径差を有する第2の元素との間のイオン半径差に対応する格子不整合を形成する基板と前記基板表面に形成され、この基板面と該酸化物超電導体薄膜との界面での格子不整合に起因する相互作用により、引き伸ばされあるいは縮められたCuO2 面間で前記第1の元素を前記第2の元素に置換された銅系酸化物超電導体薄膜とを有することを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02 ZAA