n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241381
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064840
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】イオン注入法で炭化珪素にn 型不純物層を形成する場合において、シート抵抗の低いn型不純物層を得る。【解決手段】n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法であって、炭化珪素半導体層にシリコンが格子位置を占有することが可能であり、イオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でシリコンイオン20を注入する工程と、このシリコンイオンを注入した炭化珪素半導体層を不活性雰囲気中で前記シリコンイオンの注入によって生じた格子欠陥を減少させるための熱処理する工程と、前記シリコンイオンにほぼ相当する量の窒素イオン30をイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でイオン注入を行う工程とを有する。

請求項（抜粋）：

n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法であって、炭化珪素半導体層にシリコンが格子位置を占有することが可能であり、かつイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でシリコンイオンを注入する工程と、このシリコンイオンを注入した炭化珪素半導体層を不活性雰囲気中で前記シリコンイオンの注入によって生じた格子欠陥を減少させるための熱処理を行う工程と、前記シリコンイオンにほぼ相当する量の窒素イオンをイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でイオン注入を行なう工程とを有することを特徴とするn型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/265 Z , H01L 21/265 A , H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-049422
特開平2-049422
特開平3-083332

全件表示

前のページに戻る