特許

J-GLOBAL ID：200903007112342397

記憶装置

発明者： 今川 敏幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-232500
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067192
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 非接触型メモリカードにおけるループアンテナの送受信感度を高める。【解決手段】 非接触型メモリカード1の表面のフィルムシート11上には、情報の記憶および処理を行うICチップ25、コンデンサ電極23-aおよび24-aが実装されており、その周辺部に送受信用のアンテナ21および22がコイル状に2カ所形成されている。これにより、磁束密度を向上させることができる。アンテナ21および22は、スルーホール27を介して裏面のコンデンサ電極に接続されている。

請求項（抜粋）：

情報の記憶および処理を行い、外部装置との間で情報の送受信を行う記憶装置において、ループ状に形成され、異なる共振周波数で前記外部装置と情報の送受信を行う少なくとも2つの送受信手段と、前記2つの送受信手段の内側に形成された電荷を蓄積する電荷蓄積手段とを備えることを特徴とする記憶装置。

IPC (3件)：

G06K 19/07 ,  G06K 17/00 ,  H01Q 21/30

FI (3件)：

G06K 19/00 H ,  G06K 17/00 F ,  H01Q 21/30

Fターム (13件)：

5B035AA00 ,  5B035BA01 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5B058CA17 ,  5B058KA02 ,  5J021AA02 ,  5J021AB04 ,  5J021FA00 ,  5J021FA13 ,  5J021FA25 ,  5J021FA26 ,  5J021FA30