特許
J-GLOBAL ID：200903007114701955
炭化ケイ素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172998
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】 多結晶の成長や結晶欠陥の増加を招くことなく、バルクの炭化ケイ素単結晶を製造できる方法を提供する。【構成】 構成元素として炭素を含むるつぼ12の周囲を断熱して均温化した状態でるつぼ12中に収容されたシリコン融液17中にるつぼ12の構成元素である炭素との反応により生成した炭化ケイ素を溶解させ、シリコン融液17の上方に設置した加熱手段14により融液面の温度を調整しながら、融液面に接触させた種結晶21に炭化ケイ素単結晶26を成長させる。
請求項（抜粋）：
構成元素として炭素を含むるつぼの周囲を断熱して均温化した状態でるつぼに収容されたシリコン融液中にるつぼの構成元素である炭素との反応により生成した炭化ケイ素を溶解させ、シリコン融液の上方に設置した加熱手段により融液面の温度を調整しながら、融液面に接触させた種結晶に炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C30B 11/00
, C30B 11/06
, H01L 21/208
, H01L 33/00
