特許
J-GLOBAL ID：200903007117910725

ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
堀野 和彦

堀野 和彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026463
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法に関し、p型クラッド層の抵抗率を低減するとともに、素子抵抗を低減する。【解決手段】 p型超格子層1と光能動層2との接触界面を、p型超格子層1の積層面と非平行に、特に、垂直にする。正孔はp型超格子層1を構成する2種類の半導体層の界面に沿って移動して、光能動層2に注入されるので素子抵抗を低減することができる。
請求項（抜粋）：
p型超格子層と光能動層との接触界面を、前記p型超格子層の積層面と非平行にしたことを特徴とするナイトライド系III-V族化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02
FI (3件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/02
Fターム (15件)：
5F041AA24 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA91 ,  5F041CA99 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-240993
引用文献：
審査官引用 (3件)
  • 第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1999.9, 4a-W-6, pp.309
  • 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999.3, 31a-N-10, pp.430
  • Jan.J.Appl.Phys., Vol.38(1999), pp.L1012-L1014

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