特許

J-GLOBAL ID：200903007131115954

半導体装置とその製造方法

発明者： ジアン リウ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264731
出願日： 1996年01月04日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 接点周辺のスペースを狭くしても装置不良や生産損失を軽減もしくは除去することができるような、半導体装置とプロセスとを提供する。【解決手段】 導電層(28)を貫通して接点孔(32)が形成される。それから導電層(28)がアンダーカットされる(34と36)。接点孔(32)内に絶縁層(40)が形成される。それから接点孔(32)内に接点(42)が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該基板の上に形成された導電層であって、該導電層を貫通して接点孔が形成され、該接点孔の所でアンダーカットされている導電層と、該導電層を絶縁するために、該接点孔内に形成された絶縁層と、該接点孔内に形成された接点と、を含むことを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C