特許

J-GLOBAL ID：200903007137248018

整列した高Tcテープ超伝導体用緩衝層の形成装置および高密度コンデンサの形成装置

発明者： スドヒア・ダタトラヤ・サブカー
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289696
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293596
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 高密度コンデンサまたは超伝導体用の緩衝層として利用することができるSrTiO3 膜を作る装置を提供する。【構成】 膜の(100)面が基体の表面と平行になるように配向した状態で化学蒸着法(CVD法)によりチタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )膜を形成する手段を設ける。

請求項（抜粋）：

(a) テープ基体を清浄にしかつ研磨するための清浄研磨手段、(b) 前記清浄研磨手段に対し機能的に連結されて、前記テープ基体上にチタン酸ストロンチウム層を蒸着するための化学蒸着手段、(c) 前記化学蒸着手段に対し機能的に連結されて、前記テープ基体および前記チタン酸ストロンチウム層を実質的に冷却するための冷却手段、および(d) 前記冷却手段に対し機能的に連結されて、前記チタン酸ストロンチウム層をレーザビームで衝撃することにより整列した高Tcテープ超伝導体用の緩衝層を形成するためのレーザ処理手段を含むことを特徴とする、整列した高Tcテープ超伝導体用緩衝層の形成装置。

IPC (10件)：

C30B 29/22 501 ,  B01J 19/12 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 23/00 ZAA ,  C23C 16/40 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 418

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-104411
  
• 特開平1-157580
  
• 特開平1-164781
  
• 特開平4-019921