特許
J-GLOBAL ID:200903007140054836

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-171380
公開番号(公開出願番号):特開平6-021355
出願日: 1992年06月30日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 トランジスタをL負荷で使用する回路において発生し得るON-OFF時のトランジスタの2次破壊を、部品点数を増やすことなく防止できる半導体装置を提供する。【構成】 トランジスタ1と、突入電流保護用ツェナーダイオード2とを同一半導体基板に形成し1チップ化してなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
トランジスタと、該トランジスタのコレクタ・エミッタ間に接続する突入電流保護用ツェナーダイオードとを同一半導体基板に形成し1チップ化してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (2件):
H01L 27/06 311 B ,  H01L 29/72

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