特許
J-GLOBAL ID:200903007146482210

固体電解質薄膜とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小山 有 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-103310
公開番号(公開出願番号):特開平10-294115
出願日: 1997年04月21日
公開日(公表日): 1998年11月04日
要約:
【要約】【課題】 電気化学蒸着法では、酸化イットリウムを固溶した酸化ジルコニウムに第三成分を添加することが困難である。【解決手段】 金属イットリウム(Y)を含む一酸化ジルコニウム(ZrO)に対し、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上の第三成分を添加した電解質材料8に、高密度アーク放電プラズマ流13を照射して加熱・蒸発させ、同時に蒸発粒子をプラズマ化し、このプラズマ化した蒸発粒子を多孔質状電極基板12上に供給し、酸素雰囲気下で多孔質状電極基板12上に酸化イットリウム(Y2O3)と、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を形成する。
請求項(抜粋):
6〜12mol%の酸化イットリウム(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム(ZrO2)からなることを特徴とする固体電解質薄膜。
IPC (5件):
H01M 8/02 ,  C04B 35/48 ,  C23C 4/10 ,  C23C 30/00 ,  H01M 8/12
FI (5件):
H01M 8/02 K ,  C23C 4/10 ,  C23C 30/00 C ,  H01M 8/12 ,  C04B 35/48 B

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