特許

J-GLOBAL ID：200903007148154406

半導体装置の製造方法

発明者： 藏前 正樹 ,  三重野 文健
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086431
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】クラスタ式の製造装置を使うことにより、アモルファスシリコン層が大気に暴露されることなく結晶化される、スループットの高い半導体装置の製造方法において、アモルファスシリコン層表面の、結晶化にともなう表面荒れを抑止できる製造方法を提供することを目的とする。【構成】反応室中においてアモルファスシリコン層が形成された後、アモルファスシリコンが結晶化するよりも前に、反応室中に分子中に酸素を含んだ酸化ガスを導入し、アモルファスシリコン層表面に酸化膜を形成し、層表面を伝わるシリコン原子の移動を抑止する。

請求項（抜粋）：

気相堆積装置中に設置された基板の温度を第1の温度に設定する工程と;前記気相堆積装置中にシリコンを含む原料ガスを導入し、前記原料ガスを前記第1の温度に保持された前記基板の表面近傍で分解し、前記基板表面にアモルファスシリコン層を堆積する堆積工程と;前記アモルファスシリコン層を堆積する工程の後、前記気相堆積装置中において前記基板の温度を前記第1の温度からこれよりも高い、前記アモルファスシリコン層の結晶化が生じる第2の温度まで昇温させる昇温工程と;前記基板を前記第2の温度で保持し、前記アモルファスシリコン層を結晶化させる結晶化工程とよりなる半導体装置の製造方法において:前記昇温工程は、前記気相堆積装置中に、分子中に酸素を含むガスを、前記アモルファスシリコン層の結晶化が生じるよりも前に導入し、前記アモルファスシリコン層の表面に酸化膜を形成する酸化工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/04 C