特許

J-GLOBAL ID：200903007149566619

絶縁膜の形成方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175054
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029899
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 下地依存性の小さいO3-TEOS系絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 段差を有する半導体基板上全面に第2層間絶縁膜24を常法で成膜した後、溶液反応装置内でトリメチルメトキシシランを用いて表面処理層25を形成して疎水性を小さくした後、O3-TEOS膜(第3層間絶縁膜26)を成膜する。これにより、O3-TEOS膜は、表面処理層25の作用により、下地依存性のない成膜が可能となる。

請求項（抜粋）：

有機シリコン化合物と酸化剤とを反応させて基体表面に絶縁膜を形成する方法において、前記絶縁膜を形成する前に、溶液反応処理により前記基体表面に処理層を形成しておくことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P