特許

J-GLOBAL ID：200903007150594235

プラズマ発生方法、プラズマ装置および半導体製造装置

発明者： 北村 利章 ,  河西 繁 ,  荻野 貴史 ,  長田 勇輝
出願人/特許権者： 長野日本無線株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 酒井 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313818
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152832
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】プラズマを効率よく、かつ確実に着火させる。【解決手段】生成させた高周波信号Sを整合装置4を介して処理室5に供給することによってプラズマを処理室5内に発生させるプラズマ発生方法であって、高周波発生部2を制御してプラズマが発生する電力よりも小さい電力の高周波信号Sを生成させて処理室5に供給し、その状態で高周波発生部2と処理室5との間において進行波Sfに対する反射波Srの比としての反射率を測定し、測定した反射率に少なくとも基づいて整合装置4を制御し、その反射率が規定値以下となる整合装置4の整合条件をプリセット整合条件として規定し、処理室5内にプラズマを発生させる際に、プリセット整合条件を満たすように整合装置4を制御した後に、高周波発生部2を制御してプラズマが発生する電力の高周波信号Sを生成させて処理室5に供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高周波発生部を制御して高周波信号を生成させ、その高周波信号をインピーダンス整合器を介して処理室に供給することによってプラズマを当該処理室内に発生させるプラズマ発生方法であって、 前記高周波発生部を制御して前記プラズマが発生する電力よりも小さい電力の前記高周波信号を生成させて前記処理室に供給し、その状態で前記高周波発生部と前記処理室との間において進行波に対する反射波の比としての反射率を測定し、当該測定した反射率に少なくとも基づいて前記インピーダンス整合器を制御し、その反射率が規定値以下となる当該インピーダンス整合器の整合条件をプリセット整合条件として規定し、前記処理室内に前記プラズマを発生させる際に、前記プリセット整合条件を満たすように前記インピーダンス整合器を制御した後に、前記高周波発生部を制御して前記プラズマが発生する電力の前記高周波信号を生成させて前記処理室に供給するプラズマ発生方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (6件)：

H01L21/205 ,  B01J19/08 H ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 R ,  H01L21/302 101D

Fターム (28件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075ED06 ,  4G075FC15 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030JA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F004CB05 ,  5F045AA09 ,  5F045BB16 ,  5F045EH17 ,  5F045EH19 ,  5F045GB08