特許

J-GLOBAL ID：200903007155002654

半導体電子回路

発明者： エドアルド ボッティ ,  ティチアーナ マンドリーニ
出願人/特許権者： エッセジエッセ-トムソン ミクロエレクトロニクス ソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336726
公開番号（公開出願番号）：特開平8-286771
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【課題】 回路破壊を回避すると共に,シリコン領域の増加を招来させず,多数のルールの導入によるエラー発生の可能性を低減させること。【解決方法】 電力供給ライン(AL)に接続され,前記電力供給ライン(AL)に接続された電圧センサ(R1,R2,Z1)によって駆動されるコントロール端子を有する,少なくとも第1のトランジスタ(Q1)を介してイネーブルされる,少なくとも第1の電源回路部(2)により構成された供給電圧過負荷保護デバイスを有する半導体電子回路において,前記第1電源回路部(2)の電力供給ライン(AL)に,構造的に独立し,少なくとも1つのコントロール・スイッチ(M1)を介して接続される,少なくとも第2の信号回路部(3)により構成される。

請求項（抜粋）：

電力供給ラインに接続され,前記電力供給ラインに接続された電圧センサによって駆動されるコントロール端子を有する,少なくとも第1のトランジスタを介してイネーブルされる,少なくとも第1の電源回路部により構成された供給電圧過負荷保護デバイスを有する半導体電子回路において,前記第1電源回路部の電力供給ラインに,構造的に独立し,少なくとも1つのコントロール・スイッチを介して接続される,少なくとも第2の信号回路部により構成されることを特徴とする半導体電子回路。

IPC (5件)：

G05F 1/10 304 ,  B60R 16/02 650 ,  H02H 3/20 ,  H02H 7/06 ,  H02H 7/20

FI (6件)：

G05F 1/10 304 G ,  B60R 16/02 650 S ,  H02H 3/20 A ,  H02H 7/06 A ,  H02H 7/06 L ,  H02H 7/20 F