半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228922
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074894
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造工程が短縮され、その高集積化あるいは高密度化に適する抵抗素子を提供する。【解決手段】半導体基板上の素子分離絶縁膜に囲まれた素子活性領域に形成される抵抗素子において、前記素子活性領域の両端部に高濃度不純物を含有する1対の第1の拡散層と第1の拡散層に被着するシリサイド層とを有し、さらに、前記第1の拡散層間の素子活性領域上において所定の離間距離でもって分離され、且つ前記素子活性領域に第1の絶縁膜を介して形成される導電体膜を有し、前記所定の離間距離で分離された導電体膜にセルフアラインに前記第2の拡散層が形成され、前記導電体膜の側壁部のみに第2の絶縁膜が形成され、前記第2の拡散層上に前記第2の絶縁膜が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の素子分離絶縁膜に囲まれた素子活性領域に形成される抵抗素子において、前記素子活性領域の両端部に高濃度不純物を含有する1対の第1の拡散層と前記第1の拡散層に被着するシリサイド層とを有し、前記1対の第1の拡散層間の素子活性領域に低濃度不純物を含有する第2の拡散層が形成され、前記第1の拡散層及びシリサイド層が抵抗素子の端子領域となり、前記第2の拡散層が抵抗素子の抵抗体領域となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 27/04 R , H01L 27/08 102 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭56-167360
拡散層抵抗の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-234813 出願人：ソニー株式会社
特開平2-299261

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