特許

J-GLOBAL ID：200903007157111817

堆積膜形成方法

発明者： 青木 誠 ,  植田 重教 ,  小澤 智仁
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295044
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131759
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】異常成長の大幅な低減と、高品質化、低コスト化とを高い次元で両立させることが可能な堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】減圧可能な反応容器内に基板を設置し、高周波電力を用いてグロー放電によるプラズマを形成して該基板に膜を堆積させる堆積膜形成方法において、放電開始の際、バイアス印加手段からバイアス電圧を印加し、高周波電力をゼロから所定の電力値まで増加させるのと連動して、該バイアス電圧を放電開始時の初期値から減少させることを特徴とする堆積膜形成方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器内に基板を設置し、高周波電力を用いてグロー放電によるプラズマを形成して該基板に膜を堆積させる堆積膜形成方法において、 放電開始の際、バイアス印加手段からバイアス電圧を印加し、高周波電力をゼロから所定の電力値まで増加させるのと連動して、該バイアス電圧を放電開始時の初期値から減少させることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/507 ,  C23C16/24 ,  G03G5/08

FI (3件)：

C23C16/507 ,  C23C16/24 ,  G03G5/08 360

Fターム (11件)：

2H068EA24 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030BA30 ,  4K030CA16 ,  4K030FA03 ,  4K030JA17 ,  4K030KA15 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030LA17