特許
J-GLOBAL ID：200903007161744492
ケミカルシフト飽和パルスのチューニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-237075
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】 ケミカルシフトによって生ずる不要な成分の信号を除くためのケミカルシフト飽和パルスの最適量を求めることのできるチューニング方法を実現することである。【構成】 目的物の成分の共鳴周波数にRF信号の中心周波数を合わせ、不要成分の共鳴周波数のケミカルシフト飽和パルスをRF軸に印加し、ケミカルシフト飽和パルスのRFパワーを0から逐次上げてゆき、各RFパワーに対する不要成分の振幅をプロットして作ったチューニングモード画面から最適RFパワーチューニング値を求める。
請求項（抜粋）：
MRI装置のケミカルシフトによる不要成分を除去するケミカルシフト飽和パルスのチューニング方法であって、目的物の成分(4)の共鳴周波数にRF軸に印加するRF信号の中心周波数を合わせる段階と、不要成分(5)の共鳴周波数のケミカルシフト飽和パルス(7)をRF軸に印加する段階と、前記ケミカルシフト飽和パルス(7)のRFパワーを0にしてその時のスペクトル画面に現れる不要成分(5)の振幅(Af )を測定する段階と、チューニングモード画面にして参照ライン(10)を1ステップずつ動かして印加するケミカルシフト飽和パルス(7)のRFパワーを上げ、各RFパワーに対応する前記不要成分(5)の振幅(Af )を測定する段階と、前記ケミカルシフト飽和パルスのRFパワーとそれに対応する前記不要成分(5)の振幅(Af )とで作られるチューニングモード画面から最適パワーチューニング値を求める段階とから成ることを特徴とするケミカルシフト飽和パルスのチューニング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
A61B 5/05 351
, A61B 5/05 370
, G01N 24/04 N
