特許
J-GLOBAL ID：200903007162110640
メサ型半導体装置の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237239
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085056
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 メサ型半導体装置の肩部に形成される絶縁膜が半導体基板の表面よりも下がらないように形成され、充分な絶縁耐圧がえられるメサ型半導体装置の製法を提供する。【構成】 メサ型の肩部を形成するため、半導体ウエハに凹部を形成する際に、あらかじめ半導体ウエハ3の表面にレジスト膜などからなるスペーサ膜4を付着しておき、スペーサ膜と共に半導体ウエハをエッチングして凹所6を形成し、該凹所にガラススラリー液7を注入して焼成することにより、スペーサ膜を焼失させ、半導体基板の表面より高い絶縁膜(ガラス部7a)を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体ウエハの主面上にスペーサ膜を形成し、(b)ついでその上面にエッチング保護膜によりパターニングを施し、(c)前記ウエハの主面に凹所が形成されるようにエッチングを行い、(d)ついでエッチング保護膜を除去し、(e)前記凹所に、実質的に前記スペーサ膜の表面に達するようにガラススラリー液を注入し、(f)ついでウエハを加熱することによってスペーサ膜を除去すると共にガラスの焼成を行い、(g)該焼成されたガラス部分でダイシングすることを特徴とするメサ型半導体装置の製法。
IPC (2件)：
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