半導体基板および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-138156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334837
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 GaAs半導体素子と、Si半導体素子と、一つの基板上に集積して形成することにより、半導体装置を小型化することを目的とする。【解決手段】 Si基板1上に、Siを含む第1の半導体層2と、第1の半導体層2上に形成され、SiGeを含む第2の半導体層3と、第2の半導体層3上に形成され、GaAsを含む第3の半導体層4とを形成し、第1の半導体層2または第2の半導体層3と、第3の半導体層4とにそれぞれ能動素子を形成する。

請求項（抜粋）：

Siを含む第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、SiGeを含む第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成され、GaAsを含む第3の半導体層とを有することを特徴とする半導体基板。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 21/8222 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/095 , H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 21/20 , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 101 D , H01L 27/06 102 A , H01L 29/80 E , H01L 29/80 B

Fターム (25件)：

5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F052KA01 , 5F082AA08 , 5F082BA35 , 5F082BC01 , 5F082BC03 , 5F082BC08 , 5F082BC14 , 5F082CA01 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082EA23 , 5F102FA00 , 5F102GA00 , 5F102GA05 , 5F102GA15 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GL05 , 5F102HC02

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