特許
J-GLOBAL ID：200903007170194209
光電変換装置とラインセンサアレイ及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097393
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 光電変換装置において、エピタキシャル層や付加的な拡散層を必要とせず、信号増幅機構を備えた撮像素子を提供することを目的とする。【構成】 半導体基体101中に該半導体基体導電型とは逆導電型の拡散層106を有し、該拡散層と前記半導体基体上に配置された電界効果型トランジスタのゲート電極107が金属配線された構造を持ち、前記半導体基体中で光によって発生した正孔もしくは電子を前記拡散層106及びゲート電極107の結線された領域に蓄積し、蓄積行為によって生じる、前記電界効果型トランジスタのゲート電極107の電位の変化に応じて変化するソース電位104を出力とし、かつ蓄積された電荷を前記電界効果トランジスタとは別の電界効果トランジスタ121において放電する機構を具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基体中に該半導体基体の導電型とは逆導電型の拡散層を有し、該拡散層と前記半導体基体上に配置された第1電界効果型トランジスタのゲート電極が金属配線された構造を持ち、前記半導体基体中で光によって発生した正孔もしくは電子の電荷を前記拡散層及び前記ゲート電極の結線された領域に蓄積し、蓄積行為によって生じる、前記第1電界効果型トランジスタのゲート電極の電位の変化に応じて変化するソース電位を出力とし、かつ蓄積された電荷を前記第1電界効果トランジスタとは別の第2電界効果トランジスタにおいて放電する機構を具備することを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/02 B
