特許

J-GLOBAL ID：200903007171677939

マルチビーム半導体レーザーアレイ

発明者： 太田 猛史
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 小田 富士雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137694
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152683
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 光学的クロストークがなく、レーザー発振しきい値が低く、サーマルクロストークが小さく、しかも最大出力の大きいマルチビーム半導体レーザーアレイを提供すること【構成】 基板と、この基板上に設けられた互いに独立して駆動可能な複数の半導体レーザー素子と、この半導体レーザー素子を形成するキャビティの第1の端面に配設された、前記半導体レーザー素子の活性の材料層より広いバンドギャップを有しかつ電気的に励起されない第1のウィンドー領域と、この第1のウィンドー領域にコーティングされた、光学的反射率を低下させる低反射率膜と、前記半導体レーザー素子を形成するキャビティの第2の端面に配設された、光学的反射率を増加させる高反射率膜とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に設けられ、互いに独立して駆動可能な複数の半導体レーザー素子と、この半導体レーザー素子を形成するキャビティの第1の端面に配設された、前記半導体レーザー素子の活性の材料層より広いバンドギャップを有しかつ電気的に励起されない第1のウィンドー領域と、この第1のウィンドー領域にコーティングされた、光学的反射率を低下させる低反射率膜と、前記半導体レーザー素子を形成するキャビティの第2の端面に配設された、光学的反射率を増加させる高反射率膜とを備えてなるマルチビーム半導体レーザーアレイ。