特許

J-GLOBAL ID：200903007173172575

Si/SiGe光検知器用の(110)シリコン基板上の垂直側壁の製造方法

発明者： ダグラス ジェームス トゥイート ,  チョン ジャン リー ,  ジェー シェン マー ,  シェン テン スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-111008
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300095
出願日： 2007年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】シリコン基板に一体化され、量子効率が改良された光検知器(例えば近赤外の光検知器)を得る。【解決手段】Si/SiGe光検知器用のシリコン(110)基板上の垂直側壁の製造方法には、下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン(110)面が平行であるシリコン(110)層を準備する工程を含んでいる。そして、シリコン(110)層面に平行なマスク側壁によってシリコン(110)層をマスキングし、そのマスクされていない部分を除去するためにシリコン(110)層をエッチングし、垂直シリコン(111)側壁を有するパターン形成されたシリコン(110)層を残す。その後、マスクを除去し、パターン形成されたシリコン(110)層上にSiGe含有層を成長させ、光検知器を製造する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン(110)面が平行であるシリコン(110)層を準備する工程と、 シリコン(111)層面に平行なマスク側壁によって上記シリコン(110)層をマスキングする工程と、 上記シリコン(110)層をエッチングする工程であって、そのマスクされていない部分を除去し、パターン形成されたシリコン(110)層を残す工程と、 マスクを除去する工程と、 パターン形成されたシリコン(110)層上にSiGe含有層を成長させる工程と、 光検知器を製造する工程と、を含んでいるSi/SiGe光検知器用のシリコン(110)基板上の垂直側壁の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (7件)：

5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049QA02 ,  5F049SS02 ,  5F049WA01