特許
J-GLOBAL ID：200903007175306137
位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-201842
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】 2層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率を下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、3層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、3層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。
請求項（抜粋）：
ハーフトーン位相シフト膜が2層からなり、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BA07
, 2H095BB03
