特許
J-GLOBAL ID：200903007177841579
半導体レーザ,及び半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242033
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 窓構造を有しており、かつ、スポット径の小さなレーザ光を得ることができる半導体レーザ、及び半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 活性層である量子井戸構造層3のレーザ共振器端面近傍をディスオーダして窓構造領域31とするとともに、リッジ構造22の発光領域30上の領域をp型Al0.5 Ga0.5 As第1上クラッド層10とし、窓構造領域31上の領域をn型Al0.5 Ga0.5 As第1埋込み層11aとし、このリッジ構造22をn型Al0.7 Ga0.3 As電流ブロック層6で埋め込む構成とした。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に配置された第1導電型下クラッド層と、該下クラッド層上に配置された、バリア層とウエル層が交互に積層されてなる量子井戸構造活性層と、レーザ共振器端面近傍の上記量子井戸構造活性層に、不純物の導入により形成されたディスオーダ領域と、該量子井戸構造活性層上に配置された第2導電型の第1上クラッド層と、該第1上クラッド層上に配置された、半導体レーザの共振器長方向に伸びる、そのレーザ共振器端面近傍を除いた領域部分が、第2導電型の第2上クラッド層と、該第2上クラッド層上に配置された第2導電型の第1コンタクト層とからなり、そのレーザ共振器端面近傍の領域部分が、上記第2上クラッド層と材料が同じで上記第2上クラッド層と高さが同じである第1導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された上記第1コンタクト層と材料が同じである第1導電型の第2の半導体層とからなる、レーザ共振器端面に達する長さのリッジ構造と、上記第1上クラッド層上に上記リッジ構造を埋め込むように配置された上記第2上クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第1導電型電流ブロック層と、該電流ブロック層,及び上記リッジ構造上に配置された第2導電型第2コンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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