特許
J-GLOBAL ID：200903007180973745
半導体製造装置の自動操作方法及びシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229688
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224098
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 効率的且つ処理時間を短縮する半導体製造処理の監視及び制御方式を提供すること。【構成】 製造プラズマ・チャンバ42からの発光スペクトル(OES)データの読み46、47を統計的に分析し、新規なパターン・モデルを選択確率的緩和方式と組合せ使用してOESの読み48からチャンバ42内のガス種を識別し、識別されたガス種の波長及び輝度情報からその相対濃度レベルを評価し、個有の統計的分析方式によりチャンバ内を自動的且つ実時間で監視し及び物理的処理の制御50を実行し、OESピーク識別、ピーク尖鋭化、ガス識別、及び物理的処理の制御用方式を含む数個の実行アルゴリズム50を使用することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少くとも1つの流率制御可能なガス種注入口と、調節可能な高周波電力供給手段と、圧力調節機構とを持つ製造チャンバを有し、事前定義又は派生限界内で半導体製造装置を自動操作する方法であって、(イ) 前記半導体製造装置の前記製造チャンバ内でプラズマ処理を実行し、(ロ) 前記工程(イ)と同時に発生し、波長データ及び同時に発生した複数の異なる電磁波長の相対輝度データを前記チャンバ内から収集し、(ハ) 前記波長データ及び相対輝度データから同時発生した複数の異なる電磁波長に対する少くともいくつかの輝度ピークの位置を判別し、(ニ) 前記工程(ロ)において収集した少くともいくつかの波長データと、前記工程(ハ)において判別した前記輝度ピークの位置情報とを使用して、前記プラズマ処理中、前記チャンバ内に含まれている少くとも1つのガス種を自動方法で識別し、(ホ) 前記事前定義又は派生限界内で半導体製造装置の操作を保証するよう前記工程(イ)におけるプラズマ処理を自動方法で調整する各工程を含み、前記調整は前記工程(ロ)〜(ニ)において判別された情報に基づいて行われ、前記調整する工程は、前記少くとも1つの流率制御可能なガス種注入口と、前記調節可能な高周波電力供給手段と、前記製造チャンバと関連する前記圧力調節機構とのうち、少くとも1つの制御により前記工程(イ)のプラズマ処理を自動的に調整することを特徴とする半導体製造装置の自動操作方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, C30B 25/16
, G01N 21/62
