特許
J-GLOBAL ID:200903007190735966

孤立シラノール基を有するシリカおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-226154
公開番号(公開出願番号):特開2002-037621
出願日: 2000年07月26日
公開日(公表日): 2002年02月06日
要約:
【要約】【課題】吸湿性がなく、シランカップリング剤との反応性が高いため、成形用樹脂の充填材として用いることにより、硬化物は機械的強度が強く、耐湿信頼性に優れたものとすることができ、特に半導体封止用樹脂組成物の充填材として有用なシリカ及びその製造方法を提供する。【解決手段】赤外線吸収スペクトルにおける吸収位置が3740cm-1で特徴付けられる孤立シラノール基を実質上唯一のシラノール基として有するシリカ及びアルコキシシランの加水分解により得られるシリカゲルを600〜1050°Cで1時間以上加熱するシリカの製造方法。
請求項(抜粋):
赤外線吸収スペクトルにおける吸収位置が3740cm-1で特徴付けられる孤立シラノール基を実質上唯一のシラノール基として有するシリカ。
IPC (4件):
C01B 33/18 ,  C08G 77/02 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/00
FI (4件):
C01B 33/18 Z ,  C08G 77/02 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/00 C
Fターム (23件):
4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072KK01 ,  4G072KK03 ,  4G072LL06 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072PP05 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT30 ,  4G072UU09 ,  4J002CD001 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD016 ,  4J002GQ05 ,  4J035AA02 ,  4J035AB01 ,  4J035AB02 ,  4J035AB10
引用特許:
審査官引用 (10件)
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