特許

J-GLOBAL ID：200903007198917400

Si膜のエッチング方法

発明者： 城崎 友秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188034
公開番号（公開出願番号）：特開2003-001598
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 XeF2ガスを用いてSi膜をエッチングする際、エッチングのエンドポイントを正確に検出するできるような、Si膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 本方法は、二フッ化キセノン(XeF2)ガスを用いた等方性ドライエッチング法によるSi膜のエッチング方法である。本方法では、エッチングされるSi膜を有する基板をエッチングチャンバ内に入れ、次いでエッチングチャンバにXeF2ガスを導入し、エッチングチャンバ内の圧力を所定圧力に維持しつつエッチングを進行させる際、エッチングチャンバ内で所定圧力値に維持されている圧力が一時的に急激に上昇した時点を、Si膜上に生成している自然酸化膜が除去され、Si膜のエッチングが開始された時点と認定して、Si膜のエッチングを時間制御する。

請求項（抜粋）：

二フッ化キセノン(XeF2)ガスを用いた等方性ドライエッチング法によるSi膜のエッチング方法であって、エッチングされるSi膜を有する基板を収容したエッチングチャンバにXeF2ガスを導入し、エッチングチャンバ内の圧力を所定圧力値に維持しつつエッチングを進行させる際、前記エッチングチャンバ内で所定圧力値に維持されている圧力が一時的に急激に上昇した時点を、エッチングが前記Si膜上に生成している自然酸化膜のエッチングからSi膜のエッチングに移行した時点、即ちSi膜のエッチング開始点と認定して、前記Si膜のエッチングを時間制御することを特徴とするSi膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

B81C 1/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

B81C 1/00 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 21/302 J

Fターム (7件)：

5F004AA05 ,  5F004CA02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EB08