特許

J-GLOBAL ID：200903007208156250

成膜装置および成膜方法

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096932
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293470
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、堆積に寄与する粒子数を増やすことで成膜効率の向上を図るとともに、粒子の飛行方向を揃えることでコンタクトホールのような段差部における成膜のカバリッジ性の向上を図る。【構成】 ターゲット11をスパッタリングして発生した粒子61を試料90の表面に堆積させて堆積膜を形成する成膜装置1 において、ターゲット11から発生した粒子61のほぼ飛行方向に、粒子61に電荷を与える帯電部21を設け、そこで帯電した粒子61のほぼ飛行方向にその粒子61からなる粒子束62に対して内向きの電界を形成する方向制御部31を設けものであり、その成膜装置1 の帯電部21と方向制御部31との間に帯電した粒子61に速度を与えるための電位差を持つ加速部41を設け、さらに方向制御部31と試料90との間に粒子61のうち一定方向に飛行する粒子61のみを通過させるコリメータ51を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

ターゲットをスパッタリングすることによってターゲットから粒子を発生させ、該粒子を試料表面に堆積させて膜を形成する成膜装置において、前記ターゲットから発生した粒子のほぼ飛行方向に設けたもので該粒子に電荷を与えるための帯電部と、前記帯電した粒子のほぼ飛行方向に設けたもので該帯電した粒子からなる粒子束の外側から内側に向かう電界を形成する方向制御部とを備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/44 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/32 C ,  C23C 14/32 D ,  C23C 14/34 T ,  C23C 14/44 ,  H01L 21/285 S