特許
J-GLOBAL ID：200903007208375261
集積化半導体センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-256717
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 集積化半導体センサにおけるウェーハと台座との接合歪を少なくして接合前後における出力変動を小さくすること。【構成】 シリコンウェーハ11と台座12とが陽極接合されている。接合前においてダイヤフラム部11a及び歪ゲージブリッジ回路が形成されたシリコンウェーハ11は図示された接合後と同様な周辺部に対する中央部の凸型に湾曲した反りを呈している。このシリコンウェーハ11の反り量に基づく値に一致させた曲率にて絶縁性を有する台座12の接合面が形成される。これにより、本発明の集積化半導体センサの製造方法を用いた半導体圧力センサ10は接合歪を極めて少なくできるため接合前後における出力変動を小さくできる。
請求項（抜粋）：
一部分を薄肉形状としその部分の変位により物理量変化を測定する複数のチップを配列し形成したウェーハと絶縁性を有する台座とを接合して成る集積化半導体センサの製造方法において、前記ウェーハの接合面における接合前の周辺部に対する中央部の湾曲した反り量を測定する反り量測定工程と、前記台座の接合面における接合前の曲率を前記反り量に基づく値に一致させるように形成する曲面形成工程と、前記ウェーハの接合面と前記台座の接合面とを相対させて接合する接合工程とから成ることを特徴とする集積化半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
