特許

J-GLOBAL ID：200903007219306989

高周波加熱装置

発明者： 三原 誠 ,  坂本 和穂 ,  末永 治雄 ,  酒井 伸一 ,  石尾 嘉朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032134
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227790
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 入力電流一定制御においてマグネトロンの過度の温度上昇時の信頼性を高めた高周波加熱装置を提供することを目的とする。【構成】 インバータ1のスイッチング用トランジスタ15のスイッチングレートを検出するスイッチングレート検出手段17と、入力電流を一定に制御すべくトランジスタを駆動する制御部16とを設ける。これにより、制御部16はマグネトロン7の温度上昇にともなって減少するスイッチングレート検出手段17の出力をあるしきい値で検知し入力電流を低減するため、陽極電流は最大定格を超えることはなくマグネトロン7の信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少なくとも1個の半導体素子を有し、前記半導体素子を高周波でON/OFFすることにより前記単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネトロンと、前記単方向電源部への電流を検出する入力電流検出手段と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記半導体素子のON/OFFのデューティー比を検出するスイッチングレート検出手段とを備え、前記制御部は、前記入力電流検出手段の出力を所望値に一定制御すべく前記半導体素子をON/OFF制御し、かつ前記スイッチングレート検出手段の出力が所定しきい値以下になったとき、一定に制御していた入力電流値を低く変更する構成とした高周波加熱装置。