特許

J-GLOBAL ID：200903007220382893

埋込プラグの形成方法

発明者： 山本 浩 ,  竹安 伸行 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150751
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022411
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 ヴィア孔へのプラグ形成が選択性よく行え、コンタクト抵抗の低い埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 Si基板11上に下地絶縁膜12、下層配線金属膜13、有機絶縁膜14および無機絶縁膜15が積層され、さらにホトレジスト16が塗布される。パターニングされたホトレジスト16をマスクにRIEが行われ、レジストパターンが無機絶縁膜15に転写される。次に、O2 アッシングおよび酸洗浄によりホトレジスト16が除去され、水洗処理および乾燥処理が行われる。次に、無機絶縁膜15をマスクにRIEが行われ、レジストパターンが有機絶縁膜14に転写され、ヴィア孔17が開口される。次に、必要に応じRIEによって基板表面がエッチングされる。その後、水洗処理をすることなく埋込プラグ18が選択形成される。

請求項（抜粋）：

下層配線金属膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、この有機絶縁膜上にこの有機絶縁膜に対してエッチング速度の遅い無機絶縁膜を形成する工程と、この無機絶縁膜上にホトレジストを形成してこのホトレジストを所定パターンにパターニングする工程と、パターニングされたこのホトレジストをマスクに前記無機絶縁膜をエッチングして前記ホトレジストのパターンを前記無機絶縁膜に転写する工程と、前記無機絶縁膜上の前記ホトレジストを除去する工程と、パターニングされた前記無機絶縁膜をマスクに前記有機絶縁膜をエッチングして前記無機絶縁膜のパターンを前記有機絶縁膜に転写して前記下層配線金属膜が一部露出するヴィア孔を開口する工程と、このヴィア孔に埋込プラグを選択形成する工程とを備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A