特許

J-GLOBAL ID：200903007226993231

半導体発光装置

発明者： 遠藤 学 ,  吉田 俊樹 ,  吉村 雅司
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339721
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196752
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。【構成】 n型GaAs基板11上にn型GaAsP層12、p型GaAsP層13が順次積層されており、n型GaAsP層12とp型GaAsP層13との間のpn接合面から発光される光が発光面10から取り出される。また、p型電極であるAl16は発光面10の周囲のp型GaAsP層13の斜面上に発光面10をリング状に取り囲むようにして蒸着され、その一端が引き出されてボンディング面18が形成されている。なお、この発光面10をリング状に取り囲んでいるAl16は絶縁層15によってn型GaAsP層12とp型GaAsP層13との間のpn接合面上に接触するのが防止されている。また、ボンディング面18を除く全面は、無反射コート膜17によって覆われている。

請求項（抜粋）：

基板上にpn接合を有する化合物半導体からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体発光装置において、前記複数の発光部分を分離する各溝の発光面の周囲部分が順メサ形状の斜面であって、前記発光面の周囲のこの斜面上に電極が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。