特許

J-GLOBAL ID：200903007232155833

半導体装置およびその製造方法

発明者： 相宗 史記
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085081
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】所定のコンタクトホールを有する半導体装置に、不純物を揺するシリコン膜を成長してこれを埋め込む。【構成】前記コンタクトホールの埋め込み工程が、ジシランを含むガス系を用いて成膜後、シランを含むガス系を用いて成膜(図2(a))することを特徴とする。あるいは前記成膜工程の間に、熱処理を行なう(図2(b))ことを特徴とする。【効果】初期段階で成膜されるシリコン結晶の流径を大きくし、更に熱処理を行なうことでより結晶性を安定させることができるため、抵抗率が低く、かつ段差被覆性に優れた埋め込み層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

所定のコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの埋め込み層が不純物を含むシリコン膜である半導体装置において、前記シリコン膜は結晶性の異なる第1のシリコン膜と第2のシリコン膜の2層により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-108541
  
• 特開平1-205525
  
• 特開平4-003420