特許

J-GLOBAL ID：200903007235416255

固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 前田 敦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220269
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043557
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 周辺回路領域からのホットキャリアや遷移金属などが画素領域へ進入することを抑制して画素特性を向上できる固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の固体撮像素子を有する半導体装置は、フォトダイオードPDを含む単位セルが複数個作り込まれたp型ウェル領域2aと、周辺回路素子が作り込まれたp型ウェル領域2bとが分離して設けられている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された第2導電型の第1および第2のウェル領域と、前記第1のウェル領域に形成され、かつ光を電気信号に変換するための光電変換素子をそれぞれが有する複数の単位セルと、前記第2のウェル領域に形成され、かつ複数の前記単位セルを制御するための周辺回路素子とを備え、前記第1のウェル領域は、周囲を第1導電型の領域で取囲まれることにより前記第2のウェル領域と分離して設けられている、固体撮像素子を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/761 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 21/322 R ,  H01L 21/322 J ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/76 J ,  H01L 31/10 A

Fターム (24件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA32 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA34 ,  5F032AA13 ,  5F032AB01 ,  5F032BA01 ,  5F032BA08 ,  5F032CA17 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08