特許

J-GLOBAL ID：200903007239614841

フォトマスク、レジストパターンの形成方法、アライメント精度計測方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 日野上 麗子 ,  中川 秀夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183206
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083688
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 下層の導電膜パターンに形成されているアライメント精度計測マークを複数回利用できるようにする。【解決手段】 フォトマスク101は、レジスト膜にメインパターンを形成するためのメインパターン部101Aと、レジスト膜に、該レジスト膜が現像されたときに該レジスト膜を貫通しない断面形状を有するアライメント精度計測マークを形成するためのアライメントマーク部101Bとを備えている。メインパターン部101Aには、レジスト膜にコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用開口部101aが形成されている。アライメントマーク部101Bには、露光光の解像限界(結像限界)程度以下の開口径(最小幅)を持つ微細な開口部101bが方形枠状に形成されている。

請求項（抜粋）：

レジスト膜からなるレジストパターンを形成する際に用いられるフォトマスクであって、前記レジスト膜にメインパターンを形成するためのメインパターン部と、前記レジスト膜に、該レジスト膜が現像されたときに該レジスト膜を貫通しない断面形状を有するアライメント精度計測マークを形成するためのアライメントマーク部とを備えていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G03F 1/08 N ,  G03F 1/08 A ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/30 522