特許

J-GLOBAL ID：200903007244888976

静電吸着装置

発明者： 瀬戸山 英嗣 ,  石黒 浩二 ,  村上 元 ,  菅野 誠一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188382
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021962
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 熱応力による変形を抑制すること。【解決手段】 薄膜の誘電体層で形成されて基板載置面26に半導体ウエハ9が載置される静電チャック21と、静電チャック21に接合された基材22を備え、基材22をアルミナ系の複合材で構成し、複合材のうち静電チャック21側の組成を熱膨張率が静電チャック21の熱膨張率に近いもので構成し、冷却ブロック21側の組成を熱膨張率が冷却ブロック30の熱膨張率に近いもので構成する。

請求項（抜粋）：

薄膜の誘電体層で形成されてこの誘電体層上に吸着対象を吸着するための吸着面が形成された静電チャックと、この静電チャックに埋設されて直流電圧の印加により前記静電チャックの吸着面上に吸着対象を吸着するための電荷を生じさせる少なくとも1つの電極と、前記静電チャックと冷却ブロックとの間に挿入されて前記静電チャックを支持する基材とを備え、前記基材内部の材料の組成を熱膨張率に従って複数に分け、前記基材のうち前記静電チャック側の組成を熱膨張率が前記静電チャックの熱膨張率に近いもので構成し、前記冷却ブロック側の組成を熱膨張率が前記冷却ブロックの熱膨張率に近いもので構成してなる静電吸着装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H02N 13/00

FI (2件)：

H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D

Fターム (7件)：

5F031CC12 ,  5F031FF03 ,  5F031KK06 ,  5F031KK07 ,  5F031KK08 ,  5F031LL02 ,  5F031MM01