特許
J-GLOBAL ID：200903007250314760
面発光レーザ及び面発光レーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095382
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294872
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 作製プロセスが容易で、ストレスにも強く信頼性の高い酸化型の面発光レーザ及び面発光レーザアレイを提供することである。【解決手段】 基板10上に、活性層16と該活性層16を挟み込む一対のスペーサ層14,18とからなる活性領域30と、該活性領域30を挟み込む一対の反射層12,22と、該一対の反射層12,22間に設けられ一部の非酸化領域20aを残して周縁部が酸化されたAlAs選択酸化層20と、を積層した1つのメサ26のAlAs選択酸化層20に、非酸化領域20aを複数形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、活性層と該活性層を挟み込む一対のスペーサ層とからなる活性領域と、該活性領域を挟み込む一対の反射層と、該一対の反射層間に設けられ一部の非酸化領域を残して周縁部が酸化されたAlAs選択酸化層と、を積層してなる積層部がメサ形状に形成され、前記非酸化領域が、同一メサ内の同一AlAs選択酸化層に複数形成されたことを特徴とする面発光レーザ。
Fターム (15件)：
5F073AA74
, 5F073AB05
, 5F073AB17
, 5F073CA02
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA14
, 5F073CA22
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA25
, 5F073DA27
審査官引用 (1件)
-
面発光型半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-203193
出願人：セイコーエプソン株式会社
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