特許

J-GLOBAL ID：200903007257243010

半導体装置及びその製造方法

発明者： 広田 匡紀 ,  布施 マリオ ,  山本 滋
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-073037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299653
出願日： 1991年04月05日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。【構成】 アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する画素部スイッチング素子としての逆スタガー型アモルファスシリコンTFT20と、周辺駆動回路としてのコプレーナ型ポリシリコンTFT19とにおいて、各TFTのゲート電極11及び10を同一の製造工程で形成し、また、逆スタガー型アモルファスシリコンTFT20のゲート絶縁膜8b及びコプレーナ型ポリシリコンTFT19の層間絶縁膜8aを同一の製造工程で形成することにより、その分、製造工程を簡略化する。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス型液晶パネルディスプレイを構成する画素部スイッチング素子及び周辺駆動回路をそれぞれ逆スタガー型アモルファスシリコン薄膜トランジスタ及びコプレーナ型ポリシリコン薄膜トランジスタで構成した半導体装置において、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のうちの少なくとも1つを同一の製造工程で形成した逆スタガー型アモルファスシリコン薄膜トランジスタ及びコプレーナ型ポリシリコン薄膜トランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-067093