特許
J-GLOBAL ID：200903007258409914
V-溝を利用した異種接合構造の薄膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284909
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201734
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 応力効果を極少化して電位密度がきわめて低い異種接合薄膜を得ることを目的とする。【構成】 単結晶薄膜1をV-溝形態にエッチングした後、この上に格子不整合を有する異種薄膜2を成長させ、V-溝内に電位を集中的に分布させる。その上に酸化膜3を形成した後、蝕刻に依ってV-溝部分の酸化膜3と異種薄膜2を、さらに、残余の酸化膜3を除去すれば、無応力且つ無電位の異種接合構造が得られる(図1(g)参照)。この後さらに、熱酸化又は化学蒸着に依って薄い酸化膜3を蒸着し、その上に多結晶硅素薄膜4を蒸着した後、選択的研磨に依って表面を平坦化する工程を附加することも出来る。一方、異種薄膜2又は単結晶薄膜1によって、V-溝部分を単結晶形態に再充填し、残余酸化膜3を除去することもできる。
請求項（抜粋）：
所定間隔で反復されるラインを含んで構成されるパターンを単結晶薄膜の上に形成し、これにエッチングを行うことで、該単結晶薄膜の表面にその断面がV字型である溝(以下”V-溝”という)を形成する第1工程と、上記V-溝の形成された単結晶薄膜の上に、該単結晶薄膜と格子不整合を有する異種薄膜を成長させ、さらに該異種薄膜の上に酸化物の膜を形成する第2工程と、上記V-溝部分について、上記酸化物の膜と上記異種薄膜とを選択的乾式エッチング方法を利用して除去し、さらにその後、残っている上記酸化物の膜を除去する第3工程と、を含んだことを特徴とするV-溝を利用した異種接合構造の薄膜製造方法。
IPC (2件)：
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