電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366097
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168355
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】先端部が配向された冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、(a)支持体10上に設けられたカソード電極11の所望の領域上に、カーボン・ナノチューブ構造体20がマトリックス21によって埋め込まれた複合体層22を形成する工程と、(b)複合体層22の表面に剥離層24を付着させた後、剥離層24を機械的に引き剥がし、先端部が突出した状態でカーボン・ナノチューブ構造体20がマトリックス21中に埋め込まれた電子放出部15を得る工程から成る。

請求項（抜粋）：

(a)基体上に、カーボン・ナノチューブ構造体がマトリックスによって埋め込まれた複合体層を形成する工程と、(b)複合体層の表面に剥離層を付着させた後、剥離層を機械的に引き剥がし、先端部が突出した状態でカーボン・ナノチューブ構造体がマトリックス中に埋め込まれた電子放出体を得る工程、から成ることを特徴とする電子放出体の製造方法。

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