特許

J-GLOBAL ID：200903007262067777

スパッタリングターゲット

発明者： 光井 彰 ,  佐藤 一夫
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138745
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【構成】ガリウムを含む酸化亜鉛粉末を真空あるいは不活性ガス雰囲気中で最高温度1000°C〜1200°Cでホットプレスすることによって作製される、密度5.5g/cm3 を超え、かつ、体積比抵抗が1 mΩcmより低いことを特徴とするガリウムを含む酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット。【効果】比較的低温で高密度かつ低抵抗の透明導電膜用の酸化亜鉛ベースの焼結体スパッタリングターゲットが得られる。

請求項（抜粋）：

ガリウムを含む酸化亜鉛粉末を真空あるいは不活性ガス雰囲気中で最高温度1000°C〜1200°Cでホットプレスすることによって作製される、密度5.5g/cm3 を超え、かつ、体積比抵抗が1 mΩcmより低いことを特徴とするガリウムを含む酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット。