基板のめっき方法及び装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220363
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049490
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの集積度が上がり、溝幅や穴径が小さくなっても溝や穴中の銅イオンが拡散律速になることなく、銅めっきにより基板面上に形成された微細な溝や穴を良好に埋め込むことができる基板めっき方法及び装置を提供すること。【解決手段】表面に配線用の微細な溝や穴が形成された被めっき基板の該表面に銅めっきを行い該溝や穴を銅めっき膜で埋める基板のめっき方法であって、硫酸銅(CuSO4・5H2O)の濃度が100乃至250g/l、硫酸(H2SO4)の濃度が10乃至100g/l、塩素イオンの濃度が0乃至100mg/lのめっき液を用いて電解めっきを行う。

請求項（抜粋）：

表面に配線用の微細な溝や穴が形成された被めっき基板の該表面に銅めっきを行い該溝や穴を銅めっき膜で埋める基板のめっき方法であって、硫酸銅(CuSO4・5H2O)の濃度が100乃至250g/l、硫酸(H2SO4)の濃度が10乃至100g/l、塩素イオンの濃度が0乃至100mg/lのめっき液を用いて電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。

IPC (3件)：

C25D 7/00 , C25D 3/38 101 , H05K 3/18

FI (3件)：

C25D 7/00 J , C25D 3/38 101 , H05K 3/18 G

Fターム (18件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA09 , 4K023CB07 , 4K023CB11 , 4K023CB23 , 4K023CB32 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA01 , 4K024BA11 , 4K024BB11 , 4K024BC01 , 4K024CA02 , 4K024CA06 , 5E343BB24 , 5E343CC78 , 5E343DD43

引用特許：

審査官引用 (2件)

電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132582 出願人：上村工業株式会社
酸性銅めっき浴及びこれを使用するめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-308063 出願人：奥野製薬工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

「初級めっき」, 1995, 46頁

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